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富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件
时间：2025-06-09 来源：本宏科技
       上海，2013年07月23日 — 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件，用户可以设计出体积更小，效率更高的电源组件，可广泛的运用于家电、ICT设备和汽车电子等领域。
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